半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

單片式硅外延生長(zhǎng)爐是一種輻射加熱式的、氣體注射式的單晶片處理系統(tǒng)，系統(tǒng)利用化學(xué)氣相沉積（CVD）的原理在硅晶片表面生長(zhǎng)一層厚度均勻的不摻雜型或摻雜型外延層，適用于直徑分別為6英寸和8英寸的硅晶片。系統(tǒng)生長(zhǎng)的外延層厚度可控，其晶體結(jié)構(gòu)與襯底硅晶片相同，屬于同質(zhì)外延。